ZXMN6A25N8TA
ZXMN6A25N8TA
รุ่นผลิตภัณฑ์:
ZXMN6A25N8TA
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 8SO
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19007 Pieces
แผ่นข้อมูล:
ZXMN6A25N8TA.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ ZXMN6A25N8TA เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา ZXMN6A25N8TA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ZXMN6A25N8TA กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SO
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 3.6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.56W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:ZXMN6A25N8TADI
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:ZXMN6A25N8TA
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1063pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20.4nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 8SO
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4.3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ