ซื้อ ZXGD3009DYTA กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
ZXGD3009DYTA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ZXGD3009DYTA
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16832 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- ZXGD3009DYTA.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ ZXGD3009DYTA เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา ZXGD3009DYTA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 40V (Max) |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-363 |
| ชุด: | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 210ns, 240ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ชื่ออื่น: | ZXGD3009DYTADITR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | ZXGD3009DYTA |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | - |
| ประเภทขาเข้า: | Non-Inverting |
| ประเภทประตู: | N-Channel MOSFET |
| ขยายคำอธิบาย: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-363 |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน: | Low-Side |
| ลักษณะ: | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | 2A, 2A |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Single |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ZXGD3009DYTA
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | การสอบสวน |
|
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | การสอบสวน |
|
ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | การสอบสวน |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | การสอบสวน |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | การสอบสวน |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | การสอบสวน |
|
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | การสอบสวน |
|
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | การสอบสวน |
|
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | การสอบสวน |
|
ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog