ZVN4206AV
รุ่นผลิตภัณฑ์:
ZVN4206AV
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16308 Pieces
แผ่นข้อมูล:
ZVN4206AV.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ ZVN4206AV เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา ZVN4206AV ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ZVN4206AV กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-92-3
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 1.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):700mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:ZVN4206AV
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:100pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 600mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:600mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ