ซื้อ VWM200-01P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VWM200-01P
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- VWM200-01P
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12387 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- VWM200-01P.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ VWM200-01P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา VWM200-01P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 2mA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | V2-PAK |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | V2-PAK |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | VWM200-01P |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 430nC @ 10V |
| ประเภท FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| คุณสมบัติ FET: | Standard |
| ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 210A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VWM200-01P
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3590DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP | การสอบสวน |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | การสอบสวน |
 |
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | การสอบสวน |
|
SI4563DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | การสอบสวน |
|
SI4808DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | การสอบสวน |
 |
NDS8961 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC | การสอบสวน |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | การสอบสวน |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog