ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ > VUB116-16NOXT
VUB116-16NOXT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
VUB116-16NOXT
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
DIODE BRIDGE 1600V 120A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19502 Pieces
แผ่นข้อมูล:
VUB116-16NOXT.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ VUB116-16NOXT เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา VUB116-16NOXT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ VUB116-16NOXT กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):1600V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:2.76V @ 30A
เทคโนโลยี:Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Module
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Module
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:VUB116-16NOXT
ขยายคำอธิบาย:Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 120A Chassis Mount Module
ประเภทไดโอด:Three Phase (Braking)
ลักษณะ:DIODE BRIDGE 1600V 120A
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:100µA @ 1600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):120A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ VUB116-16NOXT

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
2KBP02M-M4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GPP 2A 200V KBPM การสอบสวน
VUB116-16NO1 IXYS RECT BRIDGE 3PH 1600V 116A E2 การสอบสวน
KBJ401G Image KBJ401G Diodes Incorporated RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ การสอบสวน
GBU604 Image GBU604 Diodes Incorporated RECT BRIDGE GPP 400V 6A GBU การสอบสวน
GSIB2560-E3/45 Image GSIB2560-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE 25A 600V GSIB-5S การสอบสวน
DF10S-G Image DF10S-G Comchip Technology RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DFS การสอบสวน
680-6 Image 680-6 Microsemi Corporation DIODE STD REC 10A SMD การสอบสวน
DF04S Image DF04S Diodes Incorporated RECT BRIDGE SMD 400V 1A 4P DF-S การสอบสวน
GBPC1208-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE 1PH 12A 800V GBPC การสอบสวน
DF10S2 Image DF10S2 Fairchild/ON Semiconductor DIODE BRIDGE 1000V 2A SDIP การสอบสวน
VUO34-18NO1 Image VUO34-18NO1 IXYS RECT BRIDGE 3PH 36A 1800V V1-A การสอบสวน

ข่าว Latest