STB40N60M2
STB40N60M2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STB40N60M2
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17834 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STB40N60M2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STB40N60M2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STB40N60M2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STB40N60M2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:MDmesh™ II Plus
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 17A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):250W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:497-14963-2
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STB40N60M2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2500pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:57nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:34A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ