ซื้อ SQJ912AEP-T1_GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SQJ912AEP-T1_GE3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SQJ912AEP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Siliconix
- ลักษณะ:
- MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19288 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SQJ912AEP-T1_GE3.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SQJ912AEP-T1_GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SQJ912AEP-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 48W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| ชื่ออื่น: | SQJ912AEP-T1-GE3 SQJ912AEP-T1-GE3-ND SQJ912AEP-T1_GE3-ND SQJ912AEP-T1_GE3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SQJ912AEP-T1_GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1835pF @ 20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| คุณสมบัติ FET: | Standard |
| ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
| ลักษณะ: | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 30A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SQJ912AEP-T1_GE3
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4908DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC | การสอบสวน |
 |
APTM50TAM65FPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | การสอบสวน |
 |
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | การสอบสวน |
 |
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | การสอบสวน |
|
NDS9936 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | การสอบสวน |
 |
QS8J4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 | การสอบสวน |
 |
ALD212900SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
ZXMC3AM832TA | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | การสอบสวน |
 |
SI7224DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8 | การสอบสวน |
 |
STL40C30H3LL | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog