SPB80N06S2-08
SPB80N06S2-08
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPB80N06S2-08
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13321 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SPB80N06S2-08.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPB80N06S2-08 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPB80N06S2-08 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SPB80N06S2-08 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 150µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 58A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):215W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SP000016356
SPB80N06S208T
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SPB80N06S2-08
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:96nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):55V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:80A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ