ซื้อ SPB80N06S2-08 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SPB80N06S2-08
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SPB80N06S2-08
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13321 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SPB80N06S2-08.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPB80N06S2-08 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPB80N06S2-08 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-2 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 58A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 215W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | SP000016356 SPB80N06S208T |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPB80N06S2-08 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3800pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 55V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPB80N06S2-08
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N06S2-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
SPB80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog