SIR408DP-T1-GE3
SIR408DP-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIR408DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17880 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SIR408DP-T1-GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SIR408DP-T1-GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SIR408DP-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SIR408DP-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SO-8
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SO-8
ชื่ออื่น:SIR408DP-T1-GE3TR
SIR408DPT1GE3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SIR408DP-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1230pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:33nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 44.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ