SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI7461DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17745 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI7461DP-T1-GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI7461DP-T1-GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI7461DP-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI7461DP-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SO-8
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:14.5 mOhm @ 14.4A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.9W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SO-8
ชื่ออื่น:SI7461DP-T1-GE3TR
SI7461DPT1GE3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:15 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI7461DP-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:190nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8.6A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ