ซื้อ SI4472DY-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | SI4472DY-T1-GE3TR SI4472DYT1GE3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI4472DY-T1-GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1735pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 150V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 8V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 150V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |