SI1011X-T1-GE3
SI1011X-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI1011X-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 12V SC-89
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12681 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI1011X-T1-GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI1011X-T1-GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI1011X-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI1011X-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±5V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-89-3
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:640 mOhm @ 400mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):190mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-89, SOT-490
ชื่ออื่น:SI1011X-T1-GE3TR
SI1011XT1GE3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI1011X-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:62pF @ 6V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:4nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 12V 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 12V SC-89
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ