PSMN2R0-30PL,127
PSMN2R0-30PL,127
รุ่นผลิตภัณฑ์:
PSMN2R0-30PL,127
ผู้ผลิต:
Nexperia
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16320 Pieces
แผ่นข้อมูล:
PSMN2R0-30PL,127.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ PSMN2R0-30PL,127 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา PSMN2R0-30PL,127 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PSMN2R0-30PL,127 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.15V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 15A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):211W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:1727-4268
568-4899-5
568-4899-5-ND
934063917127
PSMN2R030PL127
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:PSMN2R0-30PL,127
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:6810pF @ 12V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:117nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 100A (Tc) 211W (Tc) Through Hole TO-220AB
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ