NTR2101PT1G
NTR2101PT1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTR2101PT1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12151 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTR2101PT1G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTR2101PT1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTR2101PT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTR2101PT1G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-23-3 (TO-236)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):960mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:NTR2101PT1GOSDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:40 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTR2101PT1G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1173pF @ 4V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:15nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 8V 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):8V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ