ซื้อ NTD78N03-1G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I-Pak |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 78A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.4W (Ta), 64W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NTD78N03-1G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2250pF @ 12V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 25V 11.4A (Ta), 78A (Tc) 1.4W (Ta), 64W (Tc) Through Hole I-Pak |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 25V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |
Email: | [email protected] |