ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > NTB60N06T4G
NTB60N06T4G
NTB60N06T4G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTB60N06T4G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12659 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTB60N06T4G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTB60N06T4G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTB60N06T4G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTB60N06T4G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 30A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.4W (Ta), 150W (Tj)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:NTB60N06T4GOSDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:25 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTB60N06T4G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3220pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:81nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D2PAK
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:60A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NTB60N06T4G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPP120N06S402AKSA2 Image IPP120N06S402AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3 การสอบสวน
NTB60N06L Image NTB60N06L ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK การสอบสวน
NTB60N06LT4G Image NTB60N06LT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK การสอบสวน
NTB60N06G Image NTB60N06G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK การสอบสวน
NTB60N06LT4 Image NTB60N06LT4 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK การสอบสวน
NTD25P03LG Image NTD25P03LG ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 25A DPAK การสอบสวน
SI7112DN-T1-E3 Image SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 การสอบสวน
NTB60N06LG Image NTB60N06LG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK การสอบสวน
ZVP2106ASTOB Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3 การสอบสวน
TK14E65W,S1X Image TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 การสอบสวน

ข่าว Latest