NSBC114EDP6T5G
NSBC114EDP6T5G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NSBC114EDP6T5G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19186 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NSBC114EDP6T5G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NSBC114EDP6T5G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NSBC114EDP6T5G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NSBC114EDP6T5G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-963
ชุด:-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):10k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:408mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-963
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:2 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NSBC114EDP6T5G
ความถี่ - การเปลี่ยน:-
ขยายคำอธิบาย:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
ลักษณะ:TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:35 @ 5mA, 10V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ