ซื้อ NE6510179A-T1-A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
NE6510179A-T1-A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NE6510179A-T1-A
- ลักษณะ:
- FET RF 8V 1.9GHZ 79A
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15563 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- NE6510179A-T1-A.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE6510179A-T1-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE6510179A-T1-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 3.5V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 8V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | HFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 79A |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 32.5dBm |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, Flat Leads |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | NE6510179A-T1-A |
| ได้รับ: | 10dB |
| ความถี่: | 1.9GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet HFET 3.5V 200mA 1.9GHz 10dB 32.5dBm 79A |
| ลักษณะ: | FET RF 8V 1.9GHZ 79A |
| พิกัดกระแส: | 2.8A |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE6510179A-T1-A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NE651R479A-T1-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | การสอบสวน |
|
NE6510179A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | การสอบสวน |
 |
MMBFJ309 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA SOT23 | การสอบสวน |
 |
MW7IC2425NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.45GHZ TO-272-16 | การสอบสวน |
 |
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
|
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | การสอบสวน |
 |
CGHV1J070D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 40V DIE | การสอบสวน |
 |
BLF7G21L-160P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | การสอบสวน |
 |
PTFB212503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
LET9060 | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | การสอบสวน |
 |
BLL6H0514-25,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C | การสอบสวน |
|
MRF5S21150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | การสอบสวน |
 |
NE3520S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | การสอบสวน |
|
NE5550979A-T1-A | CEL | FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG | การสอบสวน |
 |
PTFA181001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog