ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > NE3503M04-A
NE3503M04-A
NE3503M04-A
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NE3503M04-A
ผู้ผลิต:
CEL (California Eastern Laboratories)
ลักษณะ:
FET RF 4V 12GHZ M04
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14140 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.NE3503M04-A.pdf2.NE3503M04-A.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE3503M04-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE3503M04-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE3503M04-A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:4V
ประเภททรานซิสเตอร์:HFET
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:M04
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:-
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-343F
ชื่ออื่น:NE3503M04A
เสียงรบกวนเต็มตัว:0.45dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NE3503M04-A
ได้รับ:12dB
ความถี่:12GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04
ลักษณะ:FET RF 4V 12GHZ M04
พิกัดกระแส:70mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE3503M04-A

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NE3509M04-T2-A Image NE3509M04-T2-A CEL FET RF 4V 2GHZ SOT-343 การสอบสวน
NE3503M04-T2B-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 การสอบสวน
BF1211R,215 Image BF1211R,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R การสอบสวน
NE3503M04-T2-A Image NE3503M04-T2-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 การสอบสวน
BLF8G22LS-270GVJ Image BLF8G22LS-270GVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C การสอบสวน
ATF-33143-TR1G Image ATF-33143-TR1G Broadcom Limited FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 การสอบสวน
NE350184C CEL FET RF 4V 20GHZ MICRO-X การสอบสวน
NE3508M04-T2-A Image NE3508M04-T2-A CEL FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM การสอบสวน
NE3509M04-A Image NE3509M04-A CEL FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI การสอบสวน
BF2030WE6814BTSA1 Image BF2030WE6814BTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 การสอบสวน
MRF7S19080HSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S การสอบสวน
MMRF1312GSR5 Image MMRF1312GSR5 NXP USA Inc. TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V การสอบสวน
NE3508M04-A Image NE3508M04-A CEL FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM การสอบสวน
BLF8G27LS-150GVQ Image BLF8G27LS-150GVQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C การสอบสวน

ข่าว Latest