ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - อาร์เรย์ > MURT10060R
MURT10060R
MURT10060R
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MURT10060R
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16805 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.MURT10060R.pdf2.MURT10060R.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MURT10060R เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MURT10060R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MURT10060R กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.7V @ 100A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Three Tower
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):75ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Three Tower
ชื่ออื่น:MURT10060RGN
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-40°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:4 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MURT10060R
ขยายคำอธิบาย:Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
ประเภทไดโอด:Standard, Reverse Polarity
การกำหนดค่าไดโอด:-
ลักษณะ:DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:25µA @ 50V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MURT10060R

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MURT10005R Image MURT10005R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10040R Image MURT10040R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER การสอบสวน
MURT10020 Image MURT10020 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10060 Image MURT10060 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10010R Image MURT10010R GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10020R Image MURT10020R GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER การสอบสวน
MURT10010 Image MURT10010 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10040 Image MURT10040 GeneSiC Semiconductor DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER การสอบสวน
MURT10005 Image MURT10005 GeneSiC Semiconductor DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER การสอบสวน

ข่าว Latest