ซื้อ MSRT200120(A) กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
MSRT200120(A)
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MSRT200120(A)
- ผู้ผลิต:
- GeneSiC Semiconductor
- ลักษณะ:
- DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18246 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MSRT200120(A).pdf2.MSRT200120(A).pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MSRT200120(A) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MSRT200120(A) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.2V @ 200A |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1200V (1.2kV) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Three Tower |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Three Tower |
| ชื่ออื่น: | MSRT200120(A)GN MSRT200120A |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MSRT200120(A) |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 1 Pair Common Cathode |
| ลักษณะ: | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MSRT200120(A)
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | การสอบสวน |
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog