ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > MMIX1Y100N120C3H1
MMIX1Y100N120C3H1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MMIX1Y100N120C3H1
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 1200V 92A 400W SMPD
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13348 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MMIX1Y100N120C3H1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MMIX1Y100N120C3H1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MMIX1Y100N120C3H1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MMIX1Y100N120C3H1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.5V @ 15V, 100A
ทดสอบสภาพ:600V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:48ns/123ns
การสลับพลังงาน:6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SMPD
ชุด:GenX3™, XPT™
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):420ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:400W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:24-PowerSMD, 21 Leads
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:12 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MMIX1Y100N120C3H1
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:-
ค่าใช้จ่ายประตู:270nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT 1200V 92A 400W Surface Mount SMPD
ลักษณะ:IGBT 1200V 92A 400W SMPD
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):440A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):92A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MMIX1Y100N120C3H1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MMIX1F160N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 102A SMPD การสอบสวน
MMIX1F230N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 168A SMPD การสอบสวน
MMIX1F180N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 130A SMPD การสอบสวน
MMIX1F44N100Q3 Image MMIX1F44N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A การสอบสวน
IRGBC30FD2 Image IRGBC30FD2 Infineon Technologies IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB การสอบสวน
MMIX1F40N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD การสอบสวน
MMIX1F520N075T2 Image MMIX1F520N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 500A การสอบสวน
MMIX1T550N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 550A SMPD การสอบสวน
MMIX1X200N60B3 IXYS IGBT 600V 223A 625W SMPD การสอบสวน
MMIX1F210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 108A MMIX การสอบสวน
MMIX1X100N60B3H1 Image MMIX1X100N60B3H1 IXYS IGBT 600V 145A 400W SMPD การสอบสวน
MMIX1G120N120A3V1 IXYS IGBT 1200V 220A 400W SMPD การสอบสวน
MMIX1T132N50P3 Image MMIX1T132N50P3 IXYS SMPD HIPERFETS & MOSFETS การสอบสวน
MMIX1X200N60B3H1 Image MMIX1X200N60B3H1 IXYS IGBT 600V 175A 520W SMPD การสอบสวน
STGB30NC60WT4 Image STGB30NC60WT4 STMicroelectronics IGBT 600V 60A 200W D2PAK การสอบสวน
MMIX1F360N15T2 Image MMIX1F360N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 235A การสอบสวน
MMIX1T600N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 600A SMPD การสอบสวน
MMIX1H60N150V1 Image MMIX1H60N150V1 IXYS THYRISTOR MOS 1500V 60A SMPD การสอบสวน
MMIX1F420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 334A SMPD การสอบสวน
MMIX1F132N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 63A SMPD การสอบสวน

ข่าว Latest