ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
MMIX1F210N30P3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16565 Pieces
แผ่นข้อมูล:
MMIX1F210N30P3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MMIX1F210N30P3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MMIX1F210N30P3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MMIX1F210N30P3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 8mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:24-SMPD
ชุด:HiPerFET™, Polar3™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 105A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:24-PowerSMD, 21 Leads
ชื่ออื่น:Q7717170
อุณหภูมิในการทำงาน:-
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:MMIX1F210N30P3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:16200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 300V 108A (Tc) Surface Mount 24-SMPD
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):300V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:108A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MMIX1F210N30P3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MMIX1F132N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 63A SMPD การสอบสวน
MMIX1F420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 334A SMPD การสอบสวน
MMIX1X200N60B3H1 Image MMIX1X200N60B3H1 IXYS IGBT 600V 175A 520W SMPD การสอบสวน
MMIX1T600N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 600A SMPD การสอบสวน
MMIX1Y100N120C3H1 IXYS IGBT 1200V 92A 400W SMPD การสอบสวน
MMIX1H60N150V1 Image MMIX1H60N150V1 IXYS THYRISTOR MOS 1500V 60A SMPD การสอบสวน
MMIX1F520N075T2 Image MMIX1F520N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 500A การสอบสวน
MMIX1F160N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 102A SMPD การสอบสวน
MMIX1T132N50P3 Image MMIX1T132N50P3 IXYS SMPD HIPERFETS & MOSFETS การสอบสวน
BUK714R1-40BT,118 Image BUK714R1-40BT,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK การสอบสวน
MMIX1F230N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 168A SMPD การสอบสวน
MMIX1X100N60B3H1 Image MMIX1X100N60B3H1 IXYS IGBT 600V 145A 400W SMPD การสอบสวน
MMIX1F40N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD การสอบสวน
MMIX1G120N120A3V1 IXYS IGBT 1200V 220A 400W SMPD การสอบสวน
MMIX1F360N15T2 Image MMIX1F360N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 235A การสอบสวน
MMIX1F44N100Q3 Image MMIX1F44N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A การสอบสวน
MMIX1F180N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 130A SMPD การสอบสวน
MMIX1T550N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 550A SMPD การสอบสวน
MMIX1X200N60B3 IXYS IGBT 600V 223A 625W SMPD การสอบสวน

ข่าว Latest