MB6M-G - Comchip Technology - ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ MB6M-G - BYCHIPS

MB6M-G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MB6M-G

ผู้ผลิต:: Comchip Technology

ลักษณะ:: BRIDGE DIODE GPP 0.8A 600V MBM

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19086 Pieces

แผ่นข้อมูล:: MB6M-G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MB6M-G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MB6M-G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ MB6M-G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	600V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:	1.1V @ 800mA
เทคโนโลยี:	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	MBM
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	MBM
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MB6M-G
ขยายคำอธิบาย:	Bridge Rectifier Single Phase 600V 800mA Through Hole MBM
ประเภทไดโอด:	Single Phase
ลักษณะ:	BRIDGE DIODE GPP 0.8A 600V MBM
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5µA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):	800mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MB6M-G

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	VUO86-08NO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 800V ECO-PAC1	การสอบสวน
	ABS10-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1000V 1A ABS	การสอบสวน
	GBL01/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL	การสอบสวน
	BU20065S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 600V 20A BU-5S	การสอบสวน
	T483F	Crydom Co.	MODULE POWER	การสอบสวน
	ABS10-HF	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1000V 1A ABS	การสอบสวน
	VBO21-12NO7	IXYS	DIODE BRIDGE 21A 1200V ECO-PAC1	การสอบสวน
	KBU8G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 8A KBU	การสอบสวน

ข่าว Latest