LET9180 - STMicroelectronics - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF LET9180 - BYCHIPS

LET9180

รุ่นผลิตภัณฑ์:: LET9180

ผู้ผลิต:: ST

ลักษณะ:: IC RF TRANSISTOR LDMOS M246

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18621 Pieces

แผ่นข้อมูล:: LET9180.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ LET9180 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา LET9180 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ LET9180 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	32V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	80V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	M246
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	175W
บรรจุภัณฑ์:	Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	M246
ชื่ออื่น:	497-14586 LET9180-ND
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	LET9180
ได้รับ:	20dB
ความถี่:	860MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 20dB 175W M246
ลักษณะ:	IC RF TRANSISTOR LDMOS M246
พิกัดกระแส:	24A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	500mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LET9180

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	GTVA220701FAV1R2XTMA1	Infineon Technologies	GAN SIC	การสอบสวน
	MRF6S9045MR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ TO-270-2	การสอบสวน
	J309_D26Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	การสอบสวน
	BF1201WR,135	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R	การสอบสวน
	PTFA212401F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2	การสอบสวน
	MAGX-002731-180L00	M/A-Com Technology Solutions	FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ	การสอบสวน
	PTFA041501GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2	การสอบสวน
	LET9150	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 80V 20A M-246	การสอบสวน
	MRFE6S9045NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	การสอบสวน
	MRF7S21170HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	การสอบสวน
	LET9120	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 80V 18A M-246	การสอบสวน
	BF1204,135	NXP USA Inc.	FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP	การสอบสวน

ข่าว Latest