KBP08M-M4/51 - Vishay Semiconductor Diodes Division - ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

รุ่นผลิตภัณฑ์:: KBP08M-M4/51

ผู้ผลิต:: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

ลักษณะ:: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 14087 Pieces

แผ่นข้อมูล:: KBP08M-M4/51.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ KBP08M-M4/51 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา KBP08M-M4/51 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ KBP08M-M4/51 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	800V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:	1.1V @ 3.14A
เทคโนโลยี:	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	KBPM
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	4-SIP, KBPM
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	KBP08M-M4/51
ขยายคำอธิบาย:	Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole KBPM
ประเภทไดโอด:	Single Phase
ลักษณะ:	RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5µA @ 800V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):	1.5A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ KBP08M-M4/51

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
KBP08M-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 1.5A 800V KBPM	การสอบสวน
KBP08M-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 1.5A 800V KBPM	การสอบสวน
GBPC3501W	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBPC-W	การสอบสวน
G5SBA60-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 6A 600V GBU	การสอบสวน
KBPM208G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest