JANTX1N5811URS
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JANTX1N5811URS
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19338 Pieces
แผ่นข้อมูล:
JANTX1N5811URS.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ JANTX1N5811URS เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา JANTX1N5811URS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JANTX1N5811URS กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:875mV @ 4A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):150V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:B, SQ-MELF
ความเร็ว:Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/477
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):30ns
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, B
ชื่ออื่น:1086-19445
1086-19445-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:JANTX1N5811URS
ขยายคำอธิบาย:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
ประเภทไดโอด:Standard
ลักษณะ:DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:5µA @ 150V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):3A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ