IXTY1R6N50P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTY1R6N50P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18425 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTY1R6N50P.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTY1R6N50P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTY1R6N50P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTY1R6N50P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 25µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-252, (D-Pak)
ชุด:PolarHV™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:6.5 Ohm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):43W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTY1R6N50P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:140pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:3.9nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ