IXTY01N100D - IXYS - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single IXTY01N100D

IXTY01N100D

รุ่นผลิตภัณฑ์:: IXTY01N100D

ผู้ผลิต:: IXYS Corporation

ลักษณะ:: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18652 Pieces

แผ่นข้อมูล:: IXTY01N100D.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTY01N100D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTY01N100D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ IXTY01N100D กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:	-
Vgs (สูงสุด):	±20V
เทคโนโลยี:	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	TO-252, (D-Pak)
ชุด:	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:	110 Ohm @ 50mA, 0V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):	1.1W (Ta), 25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	IXTY01N100D
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:	120pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:	-
ประเภท FET:	N-Channel
คุณสมบัติ FET:	Depletion Mode
ขยายคำอธิบาย:	N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):	1000V (1kV)
ลักษณะ:	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:	100mA (Tc)
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTY01N100D

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
APT29F100B2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX	การสอบสวน
IXTY08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252	การสอบสวน
STS26N3LLH6	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC	การสอบสวน
IXTY01N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK	การสอบสวน
IXTY08N50D2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK	การสอบสวน
NTD60N02RT4G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK	การสอบสวน
BUK7615-100A,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	การสอบสวน
IXTY02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK	การสอบสวน
IXTY02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK	การสอบสวน
IXTY01N80	IXYS	MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA	การสอบสวน
IXTY08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK	การสอบสวน
IXTY06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252	การสอบสวน
IXTY08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220	การสอบสวน
IPB80N06S3-05	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3	การสอบสวน
STB150N3LH6	STMicroelectronics	MOSFET N CH 30V 80A D2PAK	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest