ซื้อ IXTT10N100D กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IXTT10N100D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXTT10N100D
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16866 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IXTT10N100D.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTT10N100D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTT10N100D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-268 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 10A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 400W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXTT10N100D |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2500pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Depletion Mode |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1000V (1kV) |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTT10N100D
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | การสอบสวน |
|
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | การสอบสวน |
|
IXTT16N10D2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT16P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT1N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | การสอบสวน |
|
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | การสอบสวน |
|
IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT12N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268 | การสอบสวน |
|
IXTT170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | การสอบสวน |
|
IXTT1N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers