IXTP6N50D2
IXTP6N50D2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTP6N50D2
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12634 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTP6N50D2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTP6N50D2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTP6N50D2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTP6N50D2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:-
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 3A, 0V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTP6N50D2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:96nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:Depletion Mode
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):500V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ