ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFT140N10P
IXFT140N10P
IXFT140N10P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFT140N10P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18094 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFT140N10P.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFT140N10P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFT140N10P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFT140N10P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 4mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-268
ชุด:HiPerFET™, PolarHT™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 70A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):600W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFT140N10P
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4700pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:155nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:140A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFT140N10P

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFT15N80Q Image IXFT15N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 การสอบสวน
IXFT18N90P Image IXFT18N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 18A TO268 การสอบสวน
IXFT15N100Q Image IXFT15N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 การสอบสวน
IXFT14N80P Image IXFT14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 การสอบสวน
IXFT14N100 Image IXFT14N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 การสอบสวน
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 การสอบสวน
IXFT120N15P Image IXFT120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 การสอบสวน
IXFT17N80Q Image IXFT17N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) การสอบสวน
IXFT15N100Q3 Image IXFT15N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 การสอบสวน
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 การสอบสวน
IXFT16N120P Image IXFT16N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 การสอบสวน
IXFT12N100F Image IXFT12N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 การสอบสวน
IXFT18N100Q3 Image IXFT18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 การสอบสวน
IXFT13N80Q Image IXFT13N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 การสอบสวน
IXFT150N20T Image IXFT150N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 การสอบสวน
IXFT12N100 Image IXFT12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 การสอบสวน
IXFT13N100 Image IXFT13N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 การสอบสวน
IXFT10N100 Image IXFT10N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 การสอบสวน

ข่าว Latest