IXFR80N20Q
IXFR80N20Q
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFR80N20Q
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13285 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFR80N20Q.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFR80N20Q เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFR80N20Q ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFR80N20Q กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 4mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOPLUS247™
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:28 mOhm @ 80A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):310W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:ISOPLUS247™
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFR80N20Q
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4600pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:180nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 71A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:71A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ