ซื้อ IXFH50N85X กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IXFH50N85X
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXFH50N85X
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18264 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IXFH50N85X.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFH50N85X เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFH50N85X ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 |
| ชุด: | HiPerFET™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 890W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFH50N85X |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4480pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 850V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 850V |
| ลักษณะ: | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFH50N85X
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | การสอบสวน |
 |
IXFH52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 | การสอบสวน |
|
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | การสอบสวน |
|
IXFH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | การสอบสวน |
|
IXFH58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | การสอบสวน |
 |
IRLR024ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 16A DPAK | การสอบสวน |
|
IXFH58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | การสอบสวน |
|
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | การสอบสวน |
 |
APT58M50JU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | การสอบสวน |
|
IXFH52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 | การสอบสวน |
 |
STSJ50NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC | การสอบสวน |
|
IXFH52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD | การสอบสวน |
 |
SI5853DDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | การสอบสวน |
|
IXFH50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | การสอบสวน |
|
IRFH7187TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 18A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers