ซื้อ IRLS4030-7PPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IRLS4030-7PPBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IRLS4030-7PPBF
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 20473 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IRLS4030-7PPBF.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRLS4030-7PPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRLS4030-7PPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±16V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D2PAK (7-Lead) |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 370W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ชื่ออื่น: | IRLS40307PPBF SP001568682 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRLS4030-7PPBF |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 11490pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 140nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 190A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IRLS4030-7PPBF
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | การสอบสวน |
 |
IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | การสอบสวน |
 |
STL40N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 | การสอบสวน |
|
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | การสอบสวน |
 |
IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | การสอบสวน |
 |
2SK4124 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB | การสอบสวน |
 |
FQPF6N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5A TO-220F | การสอบสวน |
 |
FDS8874 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | การสอบสวน |
|
IRL2505STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | การสอบสวน |
 |
SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A SO8 | การสอบสวน |
 |
SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers