ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPZ60R070P6FKSA1
IPZ60R070P6FKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPZ60R070P6FKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V TO247-4
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16064 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPZ60R070P6FKSA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPZ60R070P6FKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPZ60R070P6FKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPZ60R070P6FKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 1.72mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO247-4
ชุด:CoolMOS™ P6
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 20.6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):391W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-4
ชื่ออื่น:SP001313880
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPZ60R070P6FKSA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4750pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:100nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V TO247-4
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:53.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPZ60R070P6FKSA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPZ60R037P7XKSA1 Image IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 การสอบสวน
IPZ60R060C7XKSA1 Image IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 การสอบสวน
IPP60R380C6 Image IPP60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220 การสอบสวน
IPZ60R040C7XKSA1 Image IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 การสอบสวน
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 การสอบสวน
FQD20N06LTM Image FQD20N06LTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK การสอบสวน
IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 การสอบสวน
RDD020N50TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 การสอบสวน
IPZ60R099C7XKSA1 Image IPZ60R099C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 การสอบสวน
AON6566 Image AON6566 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 30V 29A 8DFN การสอบสวน
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW การสอบสวน
IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 การสอบสวน
IRFR3707ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 56A DPAK การสอบสวน

ข่าว Latest