ซื้อ IPW65R190C7XKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPW65R190C7XKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPW65R190C7XKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14406 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPW65R190C7XKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPW65R190C7XKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPW65R190C7XKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 290µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO247-3 |
| ชุด: | CoolMOS™ C7 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 5.7A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 72W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | SP001080142 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPW65R190C7XKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1150pF @ 400V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPW65R190C7XKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 | การสอบสวน |
|
IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | การสอบสวน |
|
IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers