ซื้อ IPP60R099P6XKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPP60R099P6XKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPP60R099P6XKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16882 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPP60R099P6XKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPP60R099P6XKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPP60R099P6XKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 1.21mA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO-220-3 |
| ชุด: | CoolMOS™ P6 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 278W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | SP001114650 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP60R099P6XKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3330pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 37.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPP60R099P6XKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | การสอบสวน |
|
IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | การสอบสวน |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | การสอบสวน |
|
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | การสอบสวน |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | การสอบสวน |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | การสอบสวน |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers