ซื้อ IPD65R600C6 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPD65R600C6
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPD65R600C6
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15310 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPD65R600C6.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD65R600C6 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD65R600C6 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 63W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | IPD65R600C6DKR IPD65R600C6DKR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPD65R600C6 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 440pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPD65R600C6
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | การสอบสวน |
|
IPD65R660CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | การสอบสวน |
|
IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | การสอบสวน |
|
IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | การสอบสวน |
|
IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | การสอบสวน |
 |
IPD65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | การสอบสวน |
|
IPD65R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 | การสอบสวน |
|
IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | การสอบสวน |
|
IPD65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | การสอบสวน |
|
IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers