ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPD65R380E6BTMA1
IPD65R380E6BTMA1
IPD65R380E6BTMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD65R380E6BTMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15793 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPD65R380E6BTMA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD65R380E6BTMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD65R380E6BTMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD65R380E6BTMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 320µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 3.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD65R380E6
IPD65R380E6-ND
IPD65R380E6BTMA1TR
IPD65R380E6TR-ND
SP000795278
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD65R380E6BTMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:710pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:39nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPD65R380E6BTMA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPD65R380E6ATMA1 Image IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 การสอบสวน
IPD65R380C6BTMA1 Image IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 การสอบสวน
IPD65R380C6ATMA1 Image IPD65R380C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 การสอบสวน
IPD65R250E6XTMA1 Image IPD65R250E6XTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3 การสอบสวน
IPD65R600E6ATMA1 Image IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 การสอบสวน
IPD65R600E6BTMA1 Image IPD65R600E6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 การสอบสวน
IPD65R190C7ATMA1 Image IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 13A TO-252 การสอบสวน
IPD65R1K4CFDATMA1 Image IPD65R1K4CFDATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 การสอบสวน
IPD65R400CEAUMA1 Image IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-252 การสอบสวน
IPD65R950CFDATMA1 Image IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 การสอบสวน
IPD65R650CEATMA1 Image IPD65R650CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 การสอบสวน

ข่าว Latest