ซื้อ IPB70N10S3-12 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPB70N10S3-12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPB70N10S3-12
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13152 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPB70N10S3-12.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB70N10S3-12 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB70N10S3-12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-2 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11.3 mOhm @ 70A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 125W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | IPB70N10S3-12-ND IPB70N10S3-12INTR IPB70N10S312 IPB70N10S312ATMA1 SP000261246 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB70N10S3-12 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4355pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB70N10S3-12
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | การสอบสวน |
 |
IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | การสอบสวน |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | การสอบสวน |
 |
FDC3535 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | การสอบสวน |
|
IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | การสอบสวน |
|
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | การสอบสวน |
 |
NTD95N02RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | การสอบสวน |
|
IRF634STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | การสอบสวน |
 |
BUK962R8-30B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | การสอบสวน |
|
IRF3709ZSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers