IMD23T108 - Rohm Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase IMD23T108

IMD23T108

รุ่นผลิตภัณฑ์:: IMD23T108

ผู้ผลิต:: LAPIS Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12342 Pieces

แผ่นข้อมูล:: IMD23T108.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IMD23T108 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IMD23T108 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ IMD23T108 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SMT6
ชุด:	-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):	10k, 10k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):	1k, 10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	300mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74, SOT-457
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	IMD23T108
ความถี่ - การเปลี่ยน:	200MHz, 250MHz
ขยายคำอธิบาย:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
ลักษณะ:	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	-
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IMD23T108

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
RN4905FE,LF(CB	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	การสอบสวน
SMUN5213DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363	การสอบสวน
SMUN5313DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	การสอบสวน
BCR 22PN H6727	Infineon Technologies	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	การสอบสวน
BCR133SE6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest