HN4A51JTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HN4A51JTE85LF

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18652 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HN4A51JTE85LF.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HN4A51JTE85LF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HN4A51JTE85LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HN4A51JTE85LF กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 PNP (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SMV
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	300mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74A, SOT-753
ชื่ออื่น:	HN4A51J (TE85L,F) HN4A51J(TE85L,F) HN4A51JTE85LFTR
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	12 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HN4A51JTE85LF
ความถี่ - การเปลี่ยน:	100MHz
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
ลักษณะ:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HN4A51JTE85LF

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
JAN2N6990	Microsemi Corporation	TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN	การสอบสวน
BC846BPN/ZLX	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 65V 0.1A 6TSSOP	การสอบสวน
CPH5506-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH	การสอบสวน
ZXT12P20DXTA	Diodes Incorporated	TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP	การสอบสวน
HN4A56JU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP	การสอบสวน
PMP5501V,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest