ซื้อ FQI7P06TU กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I2PAK (TO-262) |
| ชุด: | QFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 410 mOhm @ 3.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FQI7P06TU |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 295pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 60V 7A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |