ซื้อ FQB5P10TM กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D²PAK (TO-263AB) |
ชุด: | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FQB5P10TM |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 250pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 100V 4.5A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |