FDN352AP
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDN352AP
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18260 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.FDN352AP.pdf2.FDN352AP.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDN352AP เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDN352AP ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDN352AP กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SuperSOT-3
ชุด:PowerTrench®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 1.3A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):500mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:FDN352AP-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDN352AP
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:150pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:1.9nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 30V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ