FDG313N
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FDG313N
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18833 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FDG313N.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FDG313N เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FDG313N ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FDG313N กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SC-70-6
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 500mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):750mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ชื่ออื่น:FDG313N-ND
FDG313NFSTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:9 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FDG313N
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:50pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 950mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.7V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:950mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ