ซื้อ EPC8002 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | +6V, -4V |
เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Die |
ชุด: | eGaN® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
ชื่ออื่น: | 917-1118-2 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | EPC8002 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 21pF @ 32.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | - |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 65V |
ลักษณะ: | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |