ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2100ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18514 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EPC2100ENGRT.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2100ENGRT เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2100ENGRT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2100ENGRT กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2100ENGRTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2100ENGRT
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:380pF @ 15V, 1700pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V
ประเภท FET:2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติ FET:GaNFET (Gallium Nitride)
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A (Tj), 38A (Tj) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:9.5A (Tj), 38A (Tj)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2100ENGRT

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE การสอบสวน
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V การสอบสวน
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE การสอบสวน
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE การสอบสวน
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest