ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2047ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14783 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EPC2047ENGRT.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2047ENGRT เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2047ENGRT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2047ENGRT กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 7mA
Vgs (สูงสุด):+6V, -4V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2047ENGRTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2047ENGRT
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1050pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10.2nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 32A (Ta) Surface Mount Die
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:TRANS GAN 200V BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:32A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2047ENGRT

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest